1일 삼성전자는 업계 최초로 역대 최대 용량인 12나노급 32Gb DDR5 D램을 개발해 연내 양산할 계획이라고 밝혔다.

 

이는 40년 만에 D램의 용량을 50만 배 늘리는 성과로 고대역폭 메모리(HBM)의 가파른 수요·공급에도 큰 도움을 줄 것으로 기대된다.

 

기존 32Gb 이하 용량으로 128GB 모듈을 제작할 때는 TSV 공정 사용이 필수였으나 TSV 공정 없이 제작할 수 있게 돼 고용량 D램 모듈 제작이 가능해졌다.

 

12나노급 32Gb DDR5 D램 개발을 통해 약 10% 소비 전력 개선이 가능해 기업에 최적의 솔루션이 될 것으로 기대된다.